发明名称 | 一种纳-微米多孔硅系列热电材料的制备方法 | ||
摘要 | 一种纳-微米多孔硅系列热电材料的制备方法,涉及热电(温差电)半导体材料的制备方法,特别涉及含有纳米尺度的硅,In,InSb或Sb量子线或点的纳-微米多孔硅的制备。本发明采用化学腐蚀、物理气相蒸镀、第二次化学腐蚀相结合的方法,获得一系列含有纳米尺度的硅量子线,在多孔硅的孔中含有In,InSb或Sb量子线或点的纳-微米多孔硅,其组成特征是:In,InSb或Sb的重量总含量小于2%,具有实-空结合的量子结构,该结构可以使电子与声子运动分离,从而实现热电性能的大幅度提高,较常规的制备量子阱、量子线或量子点的化学气相沉积等方法具有工艺简便,成本低的优点,该制备方法还可用于较高性能硅激光器的研究。 | ||
申请公布号 | CN1741297A | 申请公布日期 | 2006.03.01 |
申请号 | CN200510012153.9 | 申请日期 | 2005.07.12 |
申请人 | 北京科技大学 | 发明人 | 徐桂英 |
分类号 | H01L35/34(2006.01) | 主分类号 | H01L35/34(2006.01) |
代理机构 | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人 | 杨玲莉 |
主权项 | 1、一种纳-微米多孔硅系列热电材料的制备方法,其特征在于,具体步骤如下:1)采用高电导率,且有氧化膜保护的单晶硅为原材料;2)采用洗洁剂,去离子水和超声波法彻底清洗单晶硅片;3)采用化学腐蚀的方法选择性腐蚀单晶硅,腐蚀时间为3-6分钟,腐蚀液组成为HF/H2O=1/10-1/20;4)用热风机将清洗过的硅片迅速烘干并置于真空室中;5)选择单源物理气相沉积的方法,并以原子比为1/1的InSb合金为蒸镀源,在多孔硅表面沉积厚度为600-900nm的InSb薄膜;6)在100-500℃的温度范围内热处理多孔硅3-6小时;7)对热处理过的多孔硅重新进行腐蚀,腐蚀时间为3-12分钟,腐蚀液组成为HF/HNO3/H2O=1/3/20-1/3/30;8)采用去离子水进行超声波清洗,用热风机将清洗过的硅片迅速烘干。 | ||
地址 | 100083北京市海淀区学院路30号 |