| 发明名称 | 评估等离子体工艺品质及监控等离子体工艺的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种评估等离子体工艺品质和监控等离子体工艺的方法，包括下列步骤：提供一等离子体反应室；进行一既定等离子体工艺，并同时临场量测该等离子体反应室的等离子体参数，如电子碰撞频率与电子密度；以及，根据其等离子体参数值评估等离子体反应室的工艺品质。 | ||
| 申请公布号 | CN1244138C | 申请公布日期 | 2006.03.01 |
| 申请号 | CN200310118264.9 | 申请日期 | 2003.12.09 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 邱显光;詹博文;彭宝庆;邱远鸿;陶宏远 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/3065(2006.01);H05H1/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王一斌 |
| 主权项 | 1.一种评估等离子体工艺品质的方法，包括下列步骤：提供一等离子体反应室；进行一既定等离子体工艺，并同时临场量测该等离子体反应室的一等离子体参数；以及根据该等离子体参数值评估该等离子体反应室的工艺品质。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||