发明名称 |
锁存反向电路与使用其的触发器与双锁存数据触发器 |
摘要 |
一种锁存反向电路与使用该锁存反向电路的触发器与双锁存数据触发器。锁存反向电路包含一第一PMOS晶体管、一第二PMOS晶体管、一第一NMOS晶体管、一第二NMOS晶体管、一第一电平调整单元、以及一第二电平调整单元。该锁存锁存反向电路利用第一电平调整单元与第二电平调整单元事先调整第二PMOS晶体管的源极与第二NMOS晶体管的漏极的电平,藉以提升锁存反向电路的反应速度。 |
申请公布号 |
CN1741387A |
申请公布日期 |
2006.03.01 |
申请号 |
CN200410057911.4 |
申请日期 |
2004.08.26 |
申请人 |
瑞昱半导体股份有限公司 |
发明人 |
吕昭信 |
分类号 |
H03K19/01(2006.01);H03K19/017(2006.01);H03K19/0944(2006.01);H03K5/153(2006.01) |
主分类号 |
H03K19/01(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
蒲迈文;黄小临 |
主权项 |
1.一种锁存反向电路,包含:一第一晶体管,其栅极接收一数据信号,且其源极连接于一电压源;一第二晶体管,其栅极接收一第一触发时钟,且其源极连接于该第一晶体管的漏极;一第三晶体管,其栅极接收一第二触发时钟,且其漏极连接于该第二晶体管的漏极并产生一输出信号;一第四晶体管,其栅极接收该数据信号,且其漏极连接于该第三晶体管的源极,并且其源极接地;一第一电平调整单元,连接于该第二晶体管的源极,藉以提供一第一电平给该第二晶体管的源极端;以及一第二电平调整单元,连接于该第四晶体管的漏极,藉以提供一第二电平给该第四晶体管的漏极端。 |
地址 |
台湾省新竹科学园区 |