发明名称 热处理装置
摘要 本发明之成膜装置系具备:处理炉,及在上述处理炉内供给处理气体的气体供给机构,及将上述处理炉内成为所定处理温度的加热机构,及将上述处理炉内以大气压附近之所定排气压力施以排气所用的常压排气系统。在上述常压排气系统,设有可调节开闭及可调节在压力的阀。上述常压排气系统之排气压力系藉由压力感测器被侦测。依据上述压力感测器之侦测压力,控制部控制上述阀。依照该特征,不需要导入大气或导入惰性气体,可成为安定之控制。又,排气系统之构造被简化,可减低整体装置之成本。
申请公布号 TW473791 申请公布日期 2002.01.21
申请号 TW089123699 申请日期 2000.11.09
申请人 东京威力科创股份有限公司 发明人 斋藤幸正
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种热处理装置,其特征为具备:处理炉,及在上述处理炉内供给处理气体的气体供给机构,及将上述处理炉内成为所定之处理温度的加热机构,及将上述处理炉内以大气压附近之所定排气压力施以排气所用的常压排气系统,及设于上述常压排气系统之可调节开闭及可调节压力的阀,及侦测上述常压排气系统之排气压力的压力感测器,及依据上述压力感测器之侦测压力控制上述阀的控制部。2.如申请专利范围第1项所述之热处理装置,其中,压力感测器系差压型。3.如申请专利范围第1项所述之热处理装置,其中,压力感测器系绝对压型。4.一种热处理装置,其特征为具备:处理炉,及在上述处理炉内供给处理气体的气体供给机构,及将上述处理炉内成为所定之处理温度的加热机构,及将上述处理炉内以大气压附近之所定排气压力施以排气所用的常压排气系统,及设于上述常压排气系统之可调节开闭及可调节压力的第一阀,及侦测上述常压排气系统之排气压力的第一压力感测器,及将上述处理炉内以比大气压低之所定排气压力施以排气所用的减压排气系统,及设于上述减压排气系统之可调节开闭及可调节压力的第二阀,及侦测上述减压排气系统之排气压力的第二压力感测器,及依据上述第一压力感测器之侦测压力控制上述第一阀,同时依据上述第二压力感测器之侦测压力控制上述第二阀的控制部。5.如申请专利范围第4项所述之热处理装置,其中,第一压力感测器系差压型。6.如申请专利范围第4项所述之热处理装置,其中,第一压力感测器系绝对压型。7.如申请专利范围第4项所述之热处理装置,其中,第二压力感测器系差压型。8.如申请专利范围第4项所述之热处理装置,其中,第二压力感测器系绝对压型。9.一种热处理装置,其特征为具备:处理炉,及在上述处理炉内供给处理气体的气体供给机构,及将上述处理炉内成为所定之处理温度的加热机构,及将上述处理炉内以大气压附近之所定排气压力施以排气所用的常压排气系统,及设于上述常压排气系统之可调节开闭及可调节压力的阀,及以绝对压侦测大气压的绝对压型压力感测器,及藉由与大气压之差压侦测上述常压排气系统之排气压力的差压型压力感测器,及依据上述差压型压力感测器之侦测压力控制上述阀使上述常压排气系统之排气系统之排气压力成为设定差压,同时依据上述绝缘压型压力感测器之侦测压力修正上述设定差压的控制部。图式简单说明:第1图系表示本发明之第一实施形态的氧化处理装置之构成的图式。第2图系表示本发明之第二实施形态的氧化处理装置之构成的图式。第3图系表示本发明之第三实施形态的氧化处理装置之构成的图式。
地址 日本