| 发明名称 | 晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种晶体管及其制造方法。本发明的晶体管包括半导体衬底，其具有{100}晶面构成的第一表面、高度比第一表面低的{100}晶面构成的第二表面、以及连接第一表面与第二表面的{111}晶面构成的侧面。栅结构形成在第一表面上。外延层形成在第二表面和侧面上。杂质区邻近栅结构的两侧形成。杂质区具有{111}面构成的侧面，从而可防止杂质区之间产生的短沟道效应。 | ||
| 申请公布号 | CN1738056A | 申请公布日期 | 2006.02.22 |
| 申请号 | CN200510063945.9 | 申请日期 | 2005.03.30 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 上野哲嗣;申东石;李化成;李浩;李承换 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种晶体管，包括：半导体衬底，其具有{100}面的第一表面、高度比所述第一表面低的{100}面的第二表面、以及连接所述第一表面连接与所述第二表面的{111}面的侧面；栅结构，其形成在所述第一表面上；外延层，其形成在所述第二表面和所述侧面上；以及杂质区，其邻近所述栅结构的两侧形成。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||