发明名称 半导体装置及其制造方法以及摄像装置
摘要 一种半导体装置,包括:形成有一个或多个像素的像素区域;和形成有用于存储来自各像素的输出信号的一个或多个DRAM单元的DRAM单元区域,通过同一半导体制造工序来形成构成像素区域和DRAM单元区域的各层。
申请公布号 CN1739198A 申请公布日期 2006.02.22
申请号 CN03825908.7 申请日期 2003.03.19
申请人 富士通株式会社 发明人 大川成实
分类号 H01L27/10(2006.01);H01L27/14(2006.01);H04N5/335(2006.01) 主分类号 H01L27/10(2006.01)
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 李辉
主权项 1.一种半导体装置,其特征在于,包括:形成有一个或多个像素的像素区域;和形成有用于存储来自所述像素的输出信号的一个或多个存储元件的存储元件区域,构成所述像素区域和所述存储元件区域的各层通过同一步骤形成。
地址 日本神奈川县
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