| 发明名称 | 应变沟道半导体结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型是关于一种应变沟道半导体结构，包括：一基底，由具有第一自然晶格常数的一第一半导体材料所构成；一沟道区，设置于基底内；一堆栈栅极，设置于沟道区上，其包含有依序堆栈于沟道区上的一栅极介电层及一栅电极；以及一对源/漏极区，对称地设置于邻近于沟道区的基底中，其中各源/漏极区包括包含具有相异于第一自然晶格常数的第二自然晶格常数的第二半导体材料及具有相对于堆栈栅极的一内部侧及一外部侧的一晶格不相称区，而至少一外部侧横向地接触构成基底的第一半导体材料。 | ||
| 申请公布号 | CN2760759Y | 申请公布日期 | 2006.02.22 |
| 申请号 | CN200420084432.7 | 申请日期 | 2004.07.23 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林俊杰;杨育佳 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王一斌 |
| 主权项 | 1.一种应变沟道半导体结构，其特征是，包括：一基底，由具有第一自然晶格常数的一第一半导体材料所构成；一沟道区，设置于该基底内；一堆栈栅极，设置于该沟道区上，其包含有依序堆栈于该沟道区上的一栅极介电层及一栅电极；以及一对源/漏极区，对称地设置于邻近于该沟道区的基底中，其中各源/漏极区包括包含具有相异于该第一自然晶格常数的第二自然晶格常数的第二半导体材料及具有相对于该堆栈栅极的一内部侧及一外部侧的一晶格不相称区，而至少一外部侧横向地接触构成该基底的第一半导体材料。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||