| 发明名称 | 半导体器件的电极结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及集成电路(IC)芯片和封装。在半导体器件的制造中，沉积感光层从而以该感光层覆盖电极的暴露部分。该感光层然后经历光刻工艺从而部分地去除该感光层的覆盖该电极的部分。该电极可以是球电极或凸点电极，该半导体器件可以包含在晶片级封装(WLP)或倒装芯片封装中。 | ||
| 申请公布号 | CN1738017A | 申请公布日期 | 2006.02.22 |
| 申请号 | CN200510092056.5 | 申请日期 | 2005.08.16 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 郑显秀;沈成珉;张东铉;朴明洵;宋永僖 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L23/485(2006.01) | 主分类号 | H01L21/60(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 王志森;黄小临 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，包括：沉积感光层从而利用该感光层覆盖电极的暴露部分；及使所述感光层经历光刻工艺从而部分地去除覆盖所述电极的所述感光层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||