发明名称 Method for fabricating the dual damascene interconnection in semiconductor device
摘要
申请公布号 KR100552815(B1) 申请公布日期 2006.02.22
申请号 KR20030101806 申请日期 2003.12.31
申请人 发明人
分类号 H01L21/28;H01L21/768;H01L23/48;H01L29/40 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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