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发明名称
Method for fabricating the dual damascene interconnection in semiconductor device
摘要
申请公布号
KR100552815(B1)
申请公布日期
2006.02.22
申请号
KR20030101806
申请日期
2003.12.31
申请人
发明人
分类号
H01L21/28;H01L21/768;H01L23/48;H01L29/40
主分类号
H01L21/28
代理机构
代理人
主权项
地址
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