发明名称 侧面扩散金氧半场效电晶体及其制程
摘要 一种侧面扩散金氧半场效电晶体及其制程,包括至少一个以上的P型场效区块,其在延伸汲极区域中形成,该延伸汲极区域在一N型井中。该 P型场效区块在N型井中形成接面场效,以将寄生电容等电容值化,该寄生电容位于汲极区域以及源极区域之间。并提供一个具有高崩溃电压,低导通阻抗,以及隔离架构的电晶体,以供单晶片整合制程应用。
申请公布号 TWI249851 申请公布日期 2006.02.21
申请号 TW094102220 申请日期 2005.01.26
申请人 崇贸科技股份有限公司 发明人 黄志丰;杨大勇;林振宇;简铎欣
分类号 H01L29/735 主分类号 H01L29/735
代理机构 代理人
主权项 1.一种侧面扩散金氧半场效电晶体,其包含: 一第一型离子掺杂区域,其内含第一型导电离子, 其包含一第一扩散区域以及一第二扩散区域; 一汲极扩散区域,其内含重掺杂第一型导电离子, 以在该第一扩散区域内形成一汲极区域; 至少一个以上之第二型离子场效区块,在该第一扩 散区域内形成; 一源极扩散区域,内含重掺杂第一型导电离子,以 在该第二扩散区域内形成一源极区域; 一通道,形成在该汲极区域与该源极区域之间; 一闸极电极,形成在该通道上方,以控制该通道内 的电流流动;以及 一第二型离子掺杂区域,形成在该第二扩散区域内 ,将该源极区域包围起来以与其他区域隔离。 2.如申请专利范围第1项所述之侧面扩散金氧半场 效电晶体,其中该第二扩散区域提供该源极区域一 个低阻抗的路径,且限制了在该汲极区域与该源极 区域间之该电流的流动。 3.如申请专利范围第1项所述之侧面扩散金氧半场 效电晶体,更包括: 一闸极氧化层以及一场氧化层,形成在该闸极电极 的下方; 一汲极间隙,形成在该汲极扩散区域以及该场氧化 层之间,以将该汲极扩散区域以及该场氧化层之间 维持一个空间;以及 一源极间隙,形成在该场氧化层与该隔离型P型井 之间,以将该场氧化层与具隔离功能之该第二型离 子掺杂区域之间维持一空间。 4.如申请专利范围第3项所述之侧面扩散金氧半场 效电晶体,其中该汲极间隙与该源极间隙被用以增 加崩溃电压,且该汲极间隙更能减低该通道的导通 阻抗。 5.如申请专利范围第1项所述之侧面扩散金氧半场 效电晶体更包括: 一源极金属接点,其具有一第一金属电极,与该源 极扩散区域相接;以及 一汲极金属接点,其具有一第二金属电极,与该汲 极扩散区域相接。 6.如申请专利范围第1项所述之侧面扩散金氧半场 效电晶体,其中该第二型离子场效区块与该第一型 离子掺杂区域空乏一漂移区,并且将该汲极区域与 该源极区域间的寄生电容等电容値化。 7.如申请专利范围第1项所述之侧面扩散金氧半场 效电晶体,其中该第二型离子场效区块具有不同尺 寸或相同尺寸。 8.如申请专利范围第1项所述之侧面扩散金氧半场 效电晶体,其中该第一型导电离子为N型导电离子, 或P型导电离子;当该第一型导电离子为N型,该第二 型导电离子为P型导电离子;当该第一型导电离子 为P型,该第二型导电离子为N型导电离子。 9.一种侧面扩散金氧半场效电晶体制程,其包含下 列步骤: 形成一第一型离子掺杂区域于一第二型掺杂层内; 形成一第一扩散区域以及一第二扩散区域于该第 一型离子掺杂区域中; 形成至少一个以上之第二型离子场效区块,在该第 一扩散区域内; 形成一第二型离子掺杂区域于该第二扩散区域内, 将该源极区域包围起来; 形成一闸极氧化层以及一场氧化层于该第二型离 子场效区块上方,以及预备于其上生成闸极电极; 形成一闸极电极于该通道上方,以控制在该通道内 的电流流动; 形成一汲极区域于一汲极扩散区域与该第一扩散 区域内;以及 形成一源极区域于一源极扩散区域与该第二扩散 区域内。 10.如申请专利范围第9项所述之侧面扩散金氧半场 效电晶体制程,其中在形成一第二型离子掺杂区域 于该第二扩散区域内步骤之后,更包括有: 形成一汲极间隙于该汲极扩散区域以及该场氧化 层之间,以将该汲极扩散区域以及该场氧化层之间 维持一个空间;以及形成一源极间隙于该场氧化层 与具隔离功能之该第二型离子掺杂区域之间,以将 该场氧化层与该第二型离子掺杂区域之间维持一 空间。 11.如申请专利范围第10项所述之侧面扩散金氧半 场效电晶体制程,其中在形成一源极间隙于该场氧 化层与具隔离功能之该第二型离子掺杂区域之间 步骤之后,更包括有: 相接一源极金属接点于该源极扩散区域;以及 相接一汲极金属接点于该汲极扩散区域。 图式简单说明: 第一图为本发明之侧面扩散金氧半场效电晶体的 示意图; 第二图为本发明之侧面扩散金氧半场效电晶体的 剖面图; 第三图为本发明之侧面扩散金氧半场效电晶体的 上视图;及 第四图为本发明之侧面扩散金氧半场效电晶体制 程的流程图实施例。
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