| 发明名称 | 平面双栅极半导体器件 | ||
| 摘要 | 提供了一种制造双栅极半导体器件的方法，其中在硅本体(16)的第一表面(14)的一部分上形成第一栅极(12)之后，但是在与第一表面相反的硅本体的第二表面(44)上形成第二栅极(52)之前，执行源极和漏极接触区(34、36)的硅化。第一栅极(12)用作掩膜，以确保硅化的源极和漏极接触区与硅沟道(18)对准。而且，通过在制造早期阶段执行硅化，用于第二栅极的材料的选择不受任何高温工艺的限制。有利地，由硅化导致的硅本体的第二表面处的材料属性的差异，使得第二栅极能够在硅化物源极和漏极接触区之间横向对准。 | ||
| 申请公布号 | CN1957476A | 申请公布日期 | 2007.05.02 |
| 申请号 | CN200580016796.9 | 申请日期 | 2005.05.24 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | J·罗;Y·波诺马雷夫 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L21/762(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种制造双栅极半导体器件的方法，该半导体器件具有硅本体(16)，该硅本体包括沟道(18)以及由所述沟道横向隔开的源极接触区和漏极接触区，所述方法包括步骤：-在硅本体的第一表面的一部分上形成第一栅极(12)，由此在第一栅极下面的硅本体(16)中确定沟道(18)；-使未被第一栅极覆盖的硅本体的区域硅化，以便确定硅化物源极接触区和漏极接触区(34、36)；并且随后-在与第一表面相对的硅本体的第二表面上形成第二栅极(52)，其中第二栅极在硅化物源极接触区和漏极接触区之间横向对准。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||