半导体装置及其制造方法

摘要

本发明系关于一种半导体装置及其制造方法。根据该半导体装置及其制造方法，会形成至少一开口延伸于LDD区之间并且裸露出一埋植绝缘层，致使一闸极电极包围一通道区的表面。此结构允许形成一非常厚的通道区，并且降低该装置和该通道区厚度相依的特征敏感度。