形成具有不同特性之结晶半导体区域之基板的方法

摘要

藉由在第一结晶半导体区域内形成电介质区域以提供单一基板上之不同类型的结晶半导体区域。其后，使用晶圆结合技术将第二结晶区域置于电介质区域上。在优选实施例中，伴随电介质区域会在第一结晶层形成绝缘结构。更详而言之，可以形成不同结晶方向的结晶半导体区域，其可在目前常用的互补金属氧化物半导体(CMOS)制程中维持高灵活性和兼容性。