| 发明名称 | 蚀刻方法、形成沟槽隔离结构的方法、半导体基板和半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用含有氟化氢和臭氧的蚀刻剂蚀刻基础材料的蚀刻方法。基础材料具有用作为主材料的硅构成的第一区域和用作为主材料的SiO<SUB>2</SUB>构成的第二区域。该蚀刻方法包括下述步骤：准备基础材料；将蚀刻剂供应到基础材料上，以利用蚀刻剂对硅的蚀刻速率高于蚀刻剂对SiO<SUB>2</SUB>的蚀刻速率这一特征在第一区域和第二区域之间形成台阶，使第一区域的表面高度低于第二区域的表面高度。 | ||
| 申请公布号 | CN1734722A | 申请公布日期 | 2006.02.15 |
| 申请号 | CN200510091987.3 | 申请日期 | 2005.08.15 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社;株式会社东芝 | 发明人 | 松尾弘之;中岛俊贵;宫崎邦浩 |
| 分类号 | H01L21/30(2006.01);H01L21/306(2006.01);H01L21/3105(2006.01);H01L21/76(2006.01) | 主分类号 | H01L21/30(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 宋合成 |
| 主权项 | 1、一种用含有氟化氢和臭氧的蚀刻剂蚀刻基础材料的蚀刻方法，基础材料具有用作为主材料的Si构成的第一区域和用作为主材料的SiO2构成的第二区域，该方法包括下述步骤：准备基础材料；和将蚀刻剂供应到基础材料上，以利用蚀刻剂对Si的蚀刻速率高于蚀刻剂对SiO2的蚀刻速率这一特征在第一区域和第二区域之间形成台阶，使第一区域的表面高度低于第二区域的表面高度。 | ||
| 地址 | 日本国东京 | ||