| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种底栅极薄膜晶体管及其制造方法，该薄膜晶体管具有通过特大晶粒硅(SGS)晶化方法晶化的沟道区，该方法包括：在绝缘基板上形成栅极电极和栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成非晶硅层，继而形成覆盖层和金属催化剂层；进行热处理使非晶硅层晶化成为多晶硅层；以及形成蚀刻停止层、源极和漏极区及源极和漏极电极。该薄膜晶体管包括：绝缘基板；栅极电极，其形成在所述绝缘基板上；栅极绝缘层，形成在所述栅极电极上；多晶硅层，其形成在所述栅极绝缘层上，并且通过特大晶粒硅(SGS)晶化法进行晶化；以及源极和漏极区、源极和漏极电极，它们形成在所述基板的预定区域中。 | ||
| 申请公布号 | CN1734787A | 申请公布日期 | 2006.02.15 |
| 申请号 | CN200410094226.9 | 申请日期 | 2004.12.31 |
| 申请人 | 三星SDI株式会社 | 发明人 | 徐晋旭;李基龙;梁泰勋;朴炳建 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管，包括：绝缘基板；栅极电极，其形成在所述绝缘基板上；栅极绝缘层，形成在所述栅极电极上；多晶硅层，其形成在所述栅极绝缘层上，并且通过特大晶粒硅(SGS)晶化法进行晶化；以及源极和漏极区、以及源极和漏极电极，它们形成在所述基板的预定区域中。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||