发明名称 |
垂直磁记录介质 |
摘要 |
本发明的目的是提供一种垂直磁记录介质,通过减弱转换场提高易记录性,而不会破坏热稳定性。本发明的垂直磁记录介质中包括第一磁记录层5和第二磁记录层7,其间插入耦合层6,使两者铁磁耦合。第一和第二磁记录层在Hk<SUB>1</SUB>>Hk<SUB>2</SUB>时满足不等式Ku<SUB>1</SUB>T<SUB>1</SUB>>Ku<SUB>2</SUB>T<SUB>2</SUB>,在Hk<SUB>1</SUB><Hk<SUB>2</SUB>时满足不等式Ku<SUB>1</SUB>T<SUB>1</SUB><Ku<SUB>2</SUB>T<SUB>2</SUB>,其中Hk<SUB>1</SUB>和Hk<SUB>2</SUB>是各向异性磁场强度,Ku<SUB>1</SUB>和Ku<SUB>2</SUB>是单轴各向异性常数,T<SUB>1</SUB>和T<SUB>2</SUB>分别是第一和第二磁记录层的厚度。磁记录层之间的交换耦合能量优选是至少5×10<SUP>-3</SUP>尔格/平方厘米。耦合层优选主要由选自V,Cr,Fe,Co,Ni,Cu,Nb,Mo,Ru,Rh,Ta,W,Re和Ir的一种材料构成,厚度不超过2纳米。优选至少一个磁记录层具有颗粒结构。 |
申请公布号 |
CN1734565A |
申请公布日期 |
2006.02.15 |
申请号 |
CN200510083319.6 |
申请日期 |
2005.07.05 |
申请人 |
富士电机电子设备技术株式会社 |
发明人 |
竹野入俊司;酒井泰志 |
分类号 |
G11B5/66(2006.01);G11B5/673(2006.01) |
主分类号 |
G11B5/66(2006.01) |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
周承泽 |
主权项 |
1.一种垂直磁记录介质,包括非磁性基片,第一磁记录层,直接位于第一磁记录层上的耦合层,和直接位于耦合层上的第二磁记录层,其特征在于:第一磁记录层和第二磁记录层通过耦合层发生铁磁耦合;第一磁记录层的易磁化轴和第二磁记录层的易磁化轴大致垂直于非磁性基片平面;和当Hk1>Hk2时,满足不等式Ku1T1>Ku2T2;当Hk1<Hk2时,满足不等式Ku1T1<Ku2T2,其中Hk1,Ku1和T1分别是第一磁记录层的各向异性磁场强度,单轴各向异性常数和厚度,Hk2,Ku2和T2分别是第二磁记录层的各向异性磁场强度,单轴各向异性常数和厚度。 |
地址 |
日本东京 |