| 发明名称 | 半导体元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体元件及其制造方法，所述半导体元件，包括工作元件、位于工作元件上的绝缘层、位于绝缘层中至少一导线及位于绝缘层和导线上的覆盖层。覆盖层为非导电性，且包括至少一第一金属元素。此非导电的覆盖层包括位于导线和导线间的绝缘层上的第一金属氮化物、第一金属氧化物或第一金属氮氧化物。一界面区可形成在导线的表面上，且此界面区可包括覆盖层的金属元素。覆盖层可用以防止金属导线材料扩散至邻近绝缘层，此外其亦可以用作蚀刻阻挡层。本发明可以容易的结合一般的半导体制程，提供较佳的良率，且可改善可靠度。其亦可改进电致迁移的阻抗性。覆盖层中的界面区可使结构更为坚固，且和其下的导线可有更佳的黏着性。 | ||
| 申请公布号 | CN1734760A | 申请公布日期 | 2006.02.15 |
| 申请号 | CN200510064492.1 | 申请日期 | 2005.04.18 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 李显铭;林俊成;潘兴强;谢静华;彭兆贤;黄震麟;苏莉玲;眭晓林 |
| 分类号 | H01L23/52(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/318(2006.01);H01L21/314(2006.01) | 主分类号 | H01L23/52(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 1、一种半导体元件，其特征在于所述半导体元件包括：一工作元件；一第一绝缘层，位于该工作元件上；至少一第一导线，位于该第一绝缘层中；及一第一覆盖层，位于该第一绝缘层和该第一导线上，其中该第一覆盖层为非导电性，且包括至少一第一金属元素。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 | ||