发明名称 | 薄膜逐层沉积的方法和设备 | ||
摘要 | 简单地增加ALP的方法,本发明的优选实施方式包括增加ALP处理量的方法,该方法通过持续调节反应器中的气流,以获得晶片上的逐层生长而实现。第一反应物以载气的某一百分比被引入。第一时间间隔之后,第一反应物流量被降低,而载气流量被增加,以维持近似恒定的总气流。当第一反应物流量达到最小预先设定的数量时,第二反应物流被起动,并被增加,同时载气流量被降低,以维持恒定的总气流。该方法可替换性地包括增强反应物吸收和化学吸附的物质,该物质或者作为与表面反应的第一施加气体,或者作为反应物的附加的配体。还可进一步可替换性地包括周期性快速热退火以改善模性质,并行晶片处理和反应物容器。 | ||
申请公布号 | CN1735709A | 申请公布日期 | 2006.02.15 |
申请号 | CN200480002115.9 | 申请日期 | 2004.01.13 |
申请人 | 应用材料有限公司 | 发明人 | A·帕朗基普 |
分类号 | C23C16/00(2006.01) | 主分类号 | C23C16/00(2006.01) |
代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵蓉民 |
主权项 | 1.一种材料沉积的方法,包括:通过原子层处理在至少一个衬底上沉积所述材料,包括,将一系列气体顺序地注入到反应物室中,而不在注入另一种气体之前从所述室中清洗掉一种气体。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |