| 发明名称 |
半导体装置及半导体装置的制造方法 |
| 摘要 |
明的目的之一是提供一种抑制不良现象且实现微型化的半导体装置以及一种维持良好的特性且实现微型化的半导体装置。一种半导体装置，包括：绝缘层；埋入在绝缘层中的源极电极和汲极电极；接触于绝缘层表面的一部分、源极电极表面的一部分和汲极电极表面的一部分的氧化物半导体层；覆盖氧化物半导体层的闸极绝缘层；以及闸极绝缘层上的闸极电极，其中绝缘层表面的一部分的接触于氧化物半导体层的区域的均方根(RMS)粗糙度是1nm以下，并且绝缘层表面的一部分与源极电极表面的高低差或绝缘层表面的一部分与汲极电极表面的高低差小于5nm。
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| 申请公布号 |
TWI535021 |
申请公布日期 |
2016.05.21 |
| 申请号 |
TW103116227 |
申请日期 |
2011.03.07 |
| 申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 |
发明人 |
乡户宏充;今林良太;加藤清 |
| 分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
一种半导体装置，包括：电晶体，包括：本质化的氧化物半导体层，包括通道形成区；该本质化的氧化物半导体层上的闸极绝缘层；该闸极绝缘层上的闸极电极，以及源极电极和汲极电极，各电连接至该本质化的氧化物半导体层，其中，该闸极电极的第一端侧与该源极电极的一端侧重叠，其中，与该闸极电极的该第一端侧相对的该闸极电极的第二端侧与该汲极电极的一端侧重叠，其中，该源极电极的该端侧与该汲极电极的该端侧相对，且其中，该电晶体之每通道宽度的截止电流为100zA/μm以下。
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| 地址 |
日本 |
