发明名称 形成抗蚀底层膜之组成物及彼之制法
摘要 在此揭于一种抗蚀底层膜之组成物其抗蚀图样具卓越的重现性,对光阻具卓越的黏着,对于在光阻曝光之后使用的显影溶液具卓越的抗性,及在光阻氧灰化中薄膜的损失将减低;及彼之制法,此组成物中包括:组成物(A)之水解产物与缩合物其两者或其中之一,其中组成物(A)为至少一种化合物,其系选自一类群,该类群中包括:由以下通式(1)代表之化合物(A-1)及由以下通式(2)代表之化合物(A-2):R1aSi(OR2)4-a (1)其中R1为氢原子,氟原子或单价有机基团,R2为单价有机基团,且a为0至2之整数,R3b(R4O)3-dSi-(R7)d-Si(OR5)3-CR6c(2)其中R3、R4、R5及R6可相同或不同,各自代表单价有机基团,b与c可相同或不同,各自代表0至2之整数,R7为氧原子或-(CH2)n-,d代表0或1,且 n为1至6之整数;及(B)一种经由紫外线照射及/或加热而产生酸之化合物。
申请公布号 TWI249081 申请公布日期 2006.02.11
申请号 TW089106719 申请日期 2000.04.11
申请人 JSR股份有限公司 发明人 杉田光;齐藤明夫;山田欣司;西川通则;大田芳久;勇元喜次
分类号 G03F7/09 主分类号 G03F7/09
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种形成抗蚀底层膜之组成物,其包括: (A)至少一种化合物之水解产物与缩合物之两者或 其中之一者,该化合物系选自:由以下通式(3)代表 之化合物(A-1)及由以下通式(2)代表之化合物(A-2): Si(OR2)4 (3) 其中R2为C1-5烷基,未经取代或经C1-5烷基或卤素取 代的苯基及基,烯丙基及缩水甘油基,及 R3b(R4O)3-bS-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c (2) 其中R3、R4、R5及R6可相同或不同,各自代表C1-5烷基 ,未经取代或经C1-5烷基或卤素取代的苯基及基, 烯丙基及缩水甘油基,b与c可相同或不同,各自代表 0至2之整数,R7为氧原子或-(CH2)n-,d代表0或1,且n为1 至6之整数;及 (B)一种经由紫外线照射及/或加热而产生酸之化合 物,其中成分(B)之含量在1重量份至30重量份,基于 100重量份的成分(A)(就完全水解及/或缩合的产物 而言)。 2.如申请专利范围第1项之组成物,其进一步包含充 当成分(A)之由以下通式(4)代表之(a2)矽烷化合物的 水解产物与缩合物之两者或其中之一者, R1nSi(OR2)4-n (4) 其中R1及R2可相同或不同,各自代表C1-5烷基,未经取 代或经C1-5烷基或卤素取代的苯基及基,烯丙基 及缩水甘油基,且n为1至3之整数。 3.如申请专利范围第2项之组成物,其中成分(a2)的 含量(就完全水解及/或缩合的产物而言)在0.5重量 份至50重量份,基于100重量份成分(A-1)(就完全水解 及/或缩合的产物而言)。 4.如申请专利范围第1项之组成物,其中成分(A-1)为 四甲氧基矽烷与四乙氧基矽烷之两者或其中之一 者。 5.如申请专利范围第2项之组成物,其中成分(a2)为 至少选自甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷 、二甲基二甲氧基矽烷及二甲基二乙氧基矽烷之 一者。 6.如申请专利范围第1项之组成物,其中成分(B)系至 少选自盐热酸产生剂,盐光酸产生剂、含卤素 的光酸产生剂、重氮基酮光酸产生剂、光酸产 生剂及磺酸化合物光酸产生剂之一者。 7.如申请专利范围第1项之组成物,其进一步包含充 当有机溶剂之由以下通式(5)代表的化合物: R8O(R1O)eR9 (5) 其中R8及R9系各自独立代表氢原子,C1-4烷基或CH3CO-, R10为具有2至4个碳原子的伸烷基基团,且e为1或2之 整数。 8.如申请专利范围第7项之组成物,其中由通式(5)代 表之该化合物为至少选自丙二醇单甲基醚、丙二 醇单乙醚、丙二醇单丙基醚、丙二醇单异丙醚及 丙二醇单丁基醚之一者。 9.如申请专利范围第1项之组成物,其进一步包含0.2 重量份至10重量份的水,基于100重量份的全部组成 物。 10.如申请专利范围第1项之组成物,其中沸点在100 ℃或较低的醇之含量在2%重量比或较低。 11.如申请专利范围第1项之组成物,其中钠与铁之 含量为20ppb或较低。 12.一种制备形成抗蚀底层膜之组成物之方法,其包 括在(A)至少一种化合物中加入水,该化合物系选自 :由以下通式(3)代表之化合物(A-1)及由以下通式(2) 代表之化合物(A-2): Si(OR2)4 (3) 其中R2为C1-5烷基,未经取代或经C1-5烷基或卤素取 代的苯基及基,烯丙基及缩水甘油基,及 R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c (2) 其中R3、R4、R5及R6可相同或不同,各自代表C1-5烷基 ,未经取代或经C1-5烷基或卤素取代的苯基及基, 烯丙基及缩水甘油基,b与c可相同或不同,各自代表 0至2之整数,R7为氧原子或-(CH2)n-,d代表0或1,且n为1 至6之整数,其含量在0.25莫耳至3莫耳/每莫耳以由 通式(3)代表之化合物的烷氧基基团及由通式(2)代 表之化合物之烷氧基基团两者总合计,水解及/或 缩合该化合物,且然后加入经由紫外线照射及/或 加热可产生酸的(B)化合物。 13.如申请专利范围第12项之方法,其中由以下通式( 3)代表之化合物的水解产物与缩合物之两者或其 中之一者: Si(OR2)4 (3) 其中R2代表C1-5烷基,未经取代或经C1-5烷基或卤素 取代的苯基及基,烯丙基及缩水甘油基;及由以 下通式(4)代表之化合物的水解产物与缩合物之两 者或其中之一者: R1nSi(OR2)4-n (4) R1及R2可相同或不同,各自代表C1-5烷基,未经取代或 经C1-5烷基或卤素取代的苯基及基,烯丙基及缩 水甘油基,且n为1至3之整数, 被相互混合以作为该成分(A)。 14.如申请专利范围第12项之方法,其中在由以下列 通式(5)代表之溶剂存在下将该成分(A)作水解及/或 缩合 R8O(R10O)eR9 (5) 其中R8及R9系各自独立代表氢原子,C1-4烷基或CH3CO-, R10为具有2至4个碳原子的伸烷基基团,且e为1或2之 整数。 15.如申请专利范围第12项之方法,其中该成分(A)系 在至少一种催化剂存在下作水解及/或缩合,该催 化剂系选自:由以下通式(6)代表之化合物、有机酸 、无机酸、有机硷及无机硷: R11fM(OR12)g-f (6) 其中R11意指螯合剂,M意指金属原子,R12意指具有2至 5个碳原子的烷基基团或具有6至20个碳原子的芳基 基团,g代表M金属原子之价数,且f为1-g之整数。 16.如申请专利范围第15项之方法,其中该催化剂为 钛、铝或锆之螯化物,或有机酸。
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