| 主权项 |
1.一种制造一液晶显示器之方法,该方法包含下列 步骤: (a)加热液晶显示器基材以及形成铝或铝合金之主 布线层于其上,其中晶粒生长于形成的主布线层, 且基材加热至主布线层具有平均粗度Ra为3奈米或 以上之不规则面之温度; (b)形成一耐热覆盖金属层于该主布线层上俾形成 一积层金属层;以及 (c)加热该基材,以及藉化学气相沉积形成一绝缘膜 于该积层金属层上。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该步骤(a)生长 晶粒于主布线层之垂直方向。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中该步骤(a)加热 基材至175℃至400℃温度。 4.如申请专利范围第3项之方法,其中该步骤(a)系于 一溅镀系统之一加热舱内加热该基材,以及转运该 基材至溅镀舱内而经由溅镀形成该主布线层。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中该耐热覆盖金 属层包括难熔金属层、难熔金属合金层及含氮难 熔金属层中之一者。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中该步骤(b)系经 由溅镀而形成一层含难熔金属之金属层于该主布 线层上。 7.如申请专利范围第6项之方法,其中该步骤(b)堆叠 一含氮难熔金属层及一难熔金属层于该主布线层 上。 8.一种制造液晶显示器之方法,该方法包含下列步 骤: (a)形成一铝或铝合金之主布线层于一液晶显示器 基材上;以及 (b)暴露该基材至一种含氧气氛俾自然氧化该主布 线层表面; (c)形成一耐热覆盖金属层于该主布线层上俾形成 一积层金属层;以及 (d)加热该基材,以及藉化学气相沉积形成一绝缘膜 于该积层金属层上。 9.如申请专利范围第8项之方法,其中该耐热覆盖金 属层包括难熔金属层、难熔金属合金层及含氮难 熔金属层中之一者。 10.一种液晶显示器,包含: 一液晶显示器基材; 一铝或铝合金制成之主布线层且系形成于该基材 上;以及 一含难熔金属之保护层且系形成于该主布线层上, 其中该主布线层上表面具有平均粗度为3奈米或以 上。 11.如申请专利范围第10项之液晶显示器,其中该主 布线层形成闸布线以及储存电容器布线,以及该液 晶显示器进一步包含: 一闸绝缘膜覆盖该保护层; 一半导体层形成于该闸绝缘膜上; 一绝缘层覆盖该半导体层上方区域;以及 像素电极形成于该绝缘层上。 12.如申请专利范围第10项之液晶显示器,进一步包 含: 一相对基材;以及 一液晶层夹置于该液晶显示器基材与该相对基材 间。 13.一种液晶显示器,包含: 一液晶显示器基材;以及 一铝或铝合金制成之主布线层形成于该基材上, 其中该主布线层上表面系以自然氧化物层形成。 14.如申请专利范围第13项之液晶显示器,其中该主 布线层之应力为150百万帕或以下。 15.如申请专利范围第13项之液晶显示器,进一步包 含: 一含难熔金属之保护层其系形成于该主布线层上 。 16.如申请专利范围第15项之液晶显示器,其中该主 布线层形成闸布线以及储存电容器布线,以及该液 晶显示器进一步包含: 一闸绝缘膜覆盖该保护层; 一半导体层形成于该闸绝缘膜上; 一绝缘层覆盖该半导体层上方区域;以及 像素电极形成于该绝缘层上。 17.如申请专利范围第16项之液晶显示器,进一步包 含: 一相对基材;以及 一液晶层夹置于该液晶显示器基材与该相对基材 间。 图式简单说明: 第1A至1E图为剖面图,显示根据本发明之第一具体 实施例,一种制造TFT基材之方法。 第2图为表,显示检验结果证实第一具体实施例之 效果。 第3A至3C图为剖面图,显示根据本发明之第二具体 资施例,一种制造TFT基材之方法。 第4图为表,显示检验结果证实第二具体实施例之 效果。 第5A至5C图为平面图及剖面图,示意显示液晶显示 器之结构。 |
