发明名称 包含具有官能基之含氟聚合物的光学材料
摘要 本发明系关于一种包含具有官能基之含氟聚合物的光学材料;也就是说,本发明系提供一种包含具有官能基之含氟聚合物而组成之光学材料,系适合作为光通信等之光学材料之有机系组成物,由具有官能基之含氟聚合物和稀土类金属离子所组成,并且,具有官能基之含氟聚合物,系在侧链中,至少具有一个酮构造,而且,在1290~1320nm、1530~1570nm和600~900nm之各波长区域中之吸收系数之最大值系为1cm-1以下,此外,稀土类金属离子系由铒(Er)离子、铥(Tm)离子、镨(Pr)离子、钬(Ho)离子、钕(Nd)离子和铕(Eu)离子所组成之群组而选择出之至少一种。
申请公布号 TWI248956 申请公布日期 2006.02.11
申请号 TW091104367 申请日期 2002.03.08
申请人 大金工业股份有限公司 发明人 荒木孝之;田中义人;小松雄三;安藤善人
分类号 C08L29/10;C08L33/16 主分类号 C08L29/10
代理机构 代理人 洪澄文 台北市大安区信义路4段279号3楼
主权项 1.一种氟树脂组成物,系由(Ⅰ)具有官能基之含氟 聚合物和(II)稀土类金属离子所组成之组成物,其 特征在于: 具有官能基之含氟聚合物(Ⅰ)系化学式(1): -(M)-(A)- (1) (在化学式中、构造单位M系由化学式(2): (在化学式中、X1和X2系相同或不同为H或F;X3系H、F 、CH3或CF3;X4和X5系相同或不同而成为H、F或CF3;Rf系 -Rf1-(C=O)-Y1 所示之基(在化学式中、Y1系H、OH、R1或OR2(R1和R2系 相同或不同为碳数目1~10之烃基);Rf1系碳数目1~50之 含氟烯烃基或具有碳数目2~100之醚键之含氟烯烃 基), 所示之基(在化学式中、X6系H、D(重氢)或卤原子;Y1 和Y2系相同或不同为H、D、OH、OD、R1或OR2(R1和R2系 相同或不同而成为碳数目1~10之烃基或者其氢原子 之一部份或全部由重氢或卤原子取代者);Rf 7系碳 数目1~49之含氟烯烃基或碳数目2~99之醚键之含氟 烯烃基), 所示之基(在化学式中、X6系H、D(重氢)或卤原子;Rf 8系碳数目1~48之含氟烯烃基或碳数目2~98之醚键之 含氟烯烃基;Rf9和Rf10系相同或不同为碳数目1~48之 含氟烷基或碳数目2~98之醚键之含氟烷基;在Rf8为 含氟烯烃基且Rf9和Rf10皆为含氟烷基之状态下,Rf8 、Rf9和Rf10之合计碳数目系49以下;在Rf8、Rf9和Rf10 中之1个或2个为具有醚键之含氟烯烃基或含氟烷 基之状态下Rf8、Rf9和Rf10之合计碳数目系99以下), 或 所示之基(在化学式中、X6系H、D(重氢)或卤原子;Y1 系H、D、OH、OD、R1或OR2(R1和R2系相同或不同为碳数 目1~10之烃基或者其氢原子之一部份或全部由重氢 或卤原子取代者);Rf11系碳数目1~48之含氟烯烃基或 碳数目2~98之醚键之含氟烯烃基;Rf12系碳数目1~48之 含氟烷基或碳数目2~98之醚键之含氟烷基;在Rf11为 含氟烯烃基且Rf12为含氟烷基之状态下,Rf11和Rf12之 合计碳数目系49以下;在Rf11和Rf12之其中一方为具 有醚键之含氟烯烃基或含氟烷基之状态下,Rf11和Rf 12之合计碳数目系99以下); a系0~3之整数;b和c系相同或不同为0或1)所示之含氟 乙烯性单体所造成之构造单位;构造单位A系由能 够与构造单位M进行共聚之单体所造成之构造单位 ),其中该氟树脂组合物系包含0.1~100莫尔%之构造单 位M和0~99.9莫尔%之构造单位A之含氟聚合物。 2.如申请专利范围第1项之氟树脂组成物,其中,使 用在光放大材料。 3.如申请专利范围第1项之氟树脂组成物,其中,使 用在发光材料。 4.如申请专利范围第1项之氟树脂组成物,其中,具 有官能基之含氟聚合物(Ⅰ)系化学式(1)中之构造 单位M为构造单位M1之含氟聚合物,构造单位M1系由 化学式(3): (在化学式中、X1、X2、X3、X4、X5、Rf、a和C系相同 于申请专利范围第1项所定义)所示之含氟乙烯性 单体所造成之构造单位。 5.如申请专利范围第1项之氟树脂组成物,其中,具 有官能基之含氟聚合物(Ⅰ)系化学式(1)中之构造 单位M为构造单位M2之含氟聚合物,构造单位M2系由 化学式(4): (在化学式中、Rf系相同于申请专利范围第1项所定 义)所示之含氟乙烯性单体所造成之构造单位。 6.如申请专利范围第1项之氟树脂组成物,其中,具 有官能基之含氟聚合物(Ⅰ)系化学式(1)中之构造 单位M为构造单位M3之含氟聚合物,构造单位M3系由 化学式(5): (在化学式中、Rf系相同于申请专利范围第1项所定 义)所示之含氟乙烯性单体所造成之构造单位。 7.如申请专利范围第1项之氟树脂组成物,其中,具 有官能基之含氟聚合物(Ⅰ)系氟含有率25重量%以 上之非结晶性含氟聚合物。 8.如申请专利范围第7项之氟树脂组成物,其中,具 有官能基之含氟聚合物(Ⅰ)之氟含有率,系40重量% 以上。 9.如申请专利范围第1项之氟树脂组成物,其中,具 有官能基之含氟聚合物(Ⅰ),系在1290~1320nm之波长 范围内之吸光度系数之最大値为1cm-1以下之聚合 物。 10.如申请专利范围第1项之氟树脂组成物,其中,具 有官能基之含氟聚合物(Ⅰ),系在1530~1570nm之波长 范围内之吸光度系数之最大値为1cm-1,以下之聚合 物。 11.如申请专利范围第1项之氟树脂组成物,其中,具 有官能基之含氟聚合物(Ⅰ),系在600~900nm之波长范 围内之吸光度系数之最大値为1cm-1,以下之聚合物 。 12.如申请专利范围第1项之氟树脂组成物,其中,稀 土类金属离子(Ⅱ)系由铒(Er)离子、铥(Tm)离子、镨 (Pr)离子、钬(Ho)离子、钕(Nd)离子和铕(Eu)离子所组 成之群组而选择出之至少一种。 13.一种氟树脂组成物,系由(Ⅰ)具有官能基之含氟 聚合物和(II)稀土类金属离子所组成之组成物,其 特征在于: 具有官能基之含氟聚合物(Ⅰ),系在该聚合物中含 有化学式(10): -Rf30-(C=O)-CX30X31-(C=O)-Rf31- (10) (在化学式中、X30系H或D(重氢);X31系H、D、卤原子 、碳数目1~20之烃基或者其氢原子之一部份或全部 由重氢或卤原子取代者;Rf30系碳数目1~48之含氟烯 烃基或碳数目2~98之醚键之含氟烯烃基;Rf31系碳数 目1~48之含氟烷基或碳数目2~98之醚键之含氟烷基; 在Rf30为含氟烯烃基且Rf31为含氟烷基之状态下,Rf30 和Rf31之合计碳数目系49以下;在Rf30和Rf31之其中一 方为具有醚键之含氟烯烃基或含氟烷基之状态下, Rf30和Rf31之合计碳数目系99以下)所示之部位。 14.如申请专利范围第13项之氟树脂组成物,其中,使 用在光放大材料。 15.如申请专利范围第13项之氟树脂组成物,其中,使 用在发光材料。 16.如申请专利范围第1或13项之氟树脂组成物,其中 ,具有官能基之含氟聚合物(Ⅰ),系具有硬化部位。 17.如申请专利范围第16项之氟树脂组成物,其中,硬 化部位系存在于具有官能基之含氟聚合物(Ⅰ)之 侧链中及/或聚合物主链末端上。 18.如申请专利范围第16项之氟树脂组成物,其中,硬 化部位系碳-碳双键。 19.如申请专利范围第16项之氟树脂组成物,其中,硬 化部位系在聚合物主链末端上有碳-碳双键。 20.如申请专利范围第16项之氟树脂组成物,其中,硬 化部位系具有自由基反应性之乙烯性碳-碳双键。 21.如申请专利范围第16项之氟树脂组成物,其中,硬 化部位系具有阳离子反应性之乙烯性碳-碳双键。 22.一种光放大元件,系由芯部和包层部所组成之光 放大元件,其特征在于:该芯部系由申请专利范围 第1或13项任何一项所记载之氟树脂组成物而组成 的。 23.一种发光元件,其特征在于:该一部份或全部之 发光元件,系由申请专利范围第1或13项任何一项所 记载之氟树脂组成物而组成的。 24.一种发光元件,系由芯部和包层部所组成之发光 元件,其特征在于:该芯部系由申请专利范围第1或 13项任何一项所记载之氟树脂组成物而组成的。 25.如申请专利范围第1或13项之氟树脂组成物,其中 ,除了(Ⅰ)具有官能基之含氟聚合物和(Ⅱ)稀土类 金属离子之外,还包含(Ⅲ)活化能射线硬化起始剂 。 26.如申请专利范围第25项之氟树脂组成物,其中,活 化能射线硬化起始剂(Ⅲ)系光自由基发生剂(Ⅲ-1) 。 27.如申请专利范围第25项之氟树脂组成物,其中,活 化能射线硬化起始剂(Ⅲ)系光酸发生剂(Ⅲ-2)。 28.一种含氟光放大材料,其特征在于:对于申请专 利范围第25项所记载之氟树脂组成物进行硬化而 组成的。 29.如申请专利范围第28项之含氟光放大材料,其中, 对于申请专利范围第25项所记载之氟树脂组成物 进行光硬化而组成的。 30.一种光放大元件,系具有芯部和包层部之光放大 元件,其特征在于:该芯部系由申请专利范围第28或 29项所记载之含氟光放大材料而组成的。 31.一种含氟发光材料,其系硬化如申请专利范围第 25项所记载之氟树脂组成物而成的。 32.如申请专利范围第31项之含氟发光材料,其系使 如申请专利范围第25项所记载之氟树脂组成物进 行光硬化而成的。 33.一种发光元件,其特征在于:该一部份或全部之 发光元件,系由申请专利范围第31或32项所记载之 含氟发光材料而组成的。 34.一种发光元件,系由芯部和包层部所组成之发光 元件,其特征在于:该芯部系由申请专利范围第31或 32项所记载之含氟发光材料而组成的。 图式简单说明: 图1系制造本发明之光放大元件或发光元件之作业 图。
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