Reflektierendes Schichtsystem mit einer Mehrzahl von Schichten zur Aufbringung auf ein III/V-Verbindungshalbleitermaterial

摘要

Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines reflektierenden Schichtsystems und ein reflektierendes Schichtsystem zur Aufbringung auf ein III/V-Verbindungshalbleitermaterial (4), wobei eine erste Schicht (1), die Phosphosilikatglas enthält, direkt auf das Halbleitersubstrat (4) aufgebracht ist. Hierauf befindet sich eine zweite Schicht (2), die Siliziumnitrid enthält. Daran anschließend ist eine metallische Schicht (3) aufgebracht.