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发明名称
A METHOD FOR FORMING SOURCE/DRAIN OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE EPITAXIAL PROCESS
摘要
申请公布号
KR100552825(B1)
申请公布日期
2006.02.09
申请号
KR20040111034
申请日期
2004.12.23
申请人
DONGBUANAM SEMICONDUCTOR INC.
发明人
JEONG, DAE HO
分类号
H01L21/335
主分类号
H01L21/335
代理机构
代理人
主权项
地址
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