发明名称 | 膜评价方法、温度测定方法及半导体装置的制造方法 | ||
摘要 | 本发明的目的在于提供一种既不使成膜装置的生产性劣化,又可轻易测定成膜装置的成膜温度或膜的特性的方法。其解决手段是,事先制作参照用红外线吸收光谱图案作为资料库。然后,利用傅立叶转换红外线分光(FT-IR)法,测定被测定膜的红外线吸收图案。再次,根据参照用红外线吸收光谱图案、及被测定膜的红外线光谱图案,进行部分最小平方回归(PLS)法的多变量分析的后,再根据分析的结果,算出成膜温度等。 | ||
申请公布号 | CN1241246C | 申请公布日期 | 2006.02.08 |
申请号 | CN02803087.7 | 申请日期 | 2002.09.10 |
申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 立成利贵 |
分类号 | H01L21/66(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
主权项 | 1.一种膜的评价方法,其特征为:包含有:对形成有膜的基板入射电磁波以测定上述电磁波的吸收光谱的步骤(a);以及从上述吸收光谱的形状算出对应上述膜的膜质的特定值的步骤(b),上述步骤(b)中,根据上述吸收光谱中的吸收波峰的波峰高度的变化和波峰位置的移位,计算出上述特定值。 | ||
地址 | 日本大阪府 |