倒装焊结构发光二极管及其制造方法

摘要

本发明公开了倒装焊结构发光二极管及其制造方法，包括：在散热基板上制作第一金属层，并分别形成p电极区和n电极区；在所述第一金属层上形成金属凸点阵列；在LED芯片的p、n电极上形成第二金属层；将所述LED芯片的p电极和n电极分别对应所述散热基板上的p电极区和n电极区键合，并对相接触的第二金属层和金属凸点阵列加压、加超声、加热。本发明的倒装焊结构发光二极管，包括：一散热基板；第一金属层，位于所述散热基板之上，包括了p电极区和n电极区；金属凸点阵列，位于所述第一金属层上的p电极区之上；LED芯片，所述LED芯片的n电极位于所述第一金属层的所述n电极区之上，所述LED芯片的p电极位于所述第一金属层的所述p电极区之上。

主权项

1、倒装焊结构发光二极管及其制造方法，包括提供一散热基板和具有p、n电极的LED芯片，所述方法包括：步骤一，在散热基板上制作第一金属层，并分别形成p电极区和n电极区；步骤二，在所述第一金属层上形成金属凸点阵列；步骤三，在LED芯片的p、n电极上形成第二金属层；步骤四，将所述LED芯片的p电极和n电极分别对应所述散热基板上的p电极区和n电极区键合，并对相接触的第二金属层和金属凸点阵列加压、加超声、加热。