高耐压半导体装置

摘要

高耐压半导体装置具有：半导体领域2、接触用扩散领域6，分散扩散领域4，场绝缘膜16，与接触用N型扩散领域6相连并导通的金属电极25、在浮动状态下形成的多个板式电极18a、19a。金属电极25的一部分(25-1、25-2)延伸到位于板式电极18a、19a的正上方的层间绝缘膜34上，板式电极18a、19a和金属电极25-1、25-2彼此电容耦合。在接触用N型扩散领域6所包围的半导体领域2上，设置了CMOS晶体管(7～11等)、电阻(13等)、电容(12等)。提供一种即使在高温下使用，耐压也不会下降的高耐压半导体装置。

主权项

1.一种高耐压半导体装置，包括：在第一导电型半导体衬底上形成的第二导电型半导体领域；在所述半导体领域上形成的第二导电型接触用扩散领域；与所述接触用扩散领域分开，在所述半导体领域内形成的，包围了所述接触用扩散领域的第一导电型分离扩散领域；在位于所述分离扩散领域和所述接触用扩散领域之间的所述半导体领域上形成的场绝缘膜；与所述接触用扩散领域连接并导通的多个金属电极；与所述接触用扩散领域分开，在所述场绝缘膜上以浮动状态形成的多个板式电极，且从衬底法线方向观察，它们包围了所述接触用扩散领域；在所述场绝缘膜和所述多个板式电极上形成的层间绝缘膜；所述金属电极的一部分，延伸到位于所述多个板式电极上的所述层间绝缘膜上，并且和所述多个板式电极彼此电容耦合；在所述第二导电型接触用扩散领域所包围的所述第二导电型半导体领域中，设置电阻和电容中的一个或双方、以及CMOS晶体管。