一种改进的钨插销结构的工艺流程

摘要

本发明为一种改进的钨插销结构工艺。传统的钨插销工艺是随着集成电路工艺特征线宽缩小的要求而发展起来的，主要解决铝物理气相沉积而产生的现象。该技术具有填充效果好、集成度高的特点。但是，该技术同时存在工艺复杂、价格昂贵、生产效率低和控制困难的问题，其中较为突出的是在钛和氮化钛淀积、钨的化学气相沉积方法中需要多步进行而导致的问题。本发明提出采用一种改进的工艺流程，即用物理气相法沉积钨和其化合物作为扩散阻挡层，接着直接用氢气还原六氟化钨实现钨的对接触孔和对接孔的填充，从而简化了流程，提高了生产率，降低了费用，提高了安全性。

主权项

1、一种形成低电阻的稳定的体心立方结构的α-W及碳化物钨插销结构的工艺流程，其特征在于采用物理气相沉积的方法淀积钨和其化合物作为扩散阻挡层，经退火后，仅用氢气还原六氟化钨的化学气相沉积方法填充接触孔和对接孔，形成钨插销结构；其中，所述的钨和其化合物采用钨、碳化钨的材料及其组合，多层膜总厚度大于40nm，小于300nm；所述的退火在真空中或在为氩气或在为氮气或在为氩气、氮气的组合气氛下完成，退火温度小于580摄氏度；所述的仅用氢气还原六氟化钨，反应温度为350摄氏度至500摄氏度，反应压力为10Torr-200Torr。