| 发明名称 | 薄膜晶体管,用于制造薄膜晶体管的方法和具有该晶体管的电子设备 | ||
| 摘要 | 一种薄膜晶体管(100)安装在衬底(102)上，其由半导体层(120)覆盖。该半导体层(120)具有第一掺杂区域(121)和第二掺杂区域(122)以及它们之间的未掺杂区域(123)。此外，该半导体层(120)具有第一另外的掺杂区域(125)和第二另外的掺杂区域(126)，其形成了薄膜晶体管(100)的源极和漏极，并且相比于第一掺杂区域(121)和第二掺杂区域(122)，其是较为重度掺杂的。半导体层(120)的一部分由氧化物层(140)覆盖，其承载未掺杂区域(130)上的导电栅极(104)以及分别位于第一掺杂区域(121)和第二掺杂区域(122)上的第一间隔物(111)和第二间隔物(112)。此外，氧化物层(140)承载第一绝缘间隔物(125)和第二绝缘间隔物(126)，以提供栅极结构分别同第一导电接触(135)和第二导电接触(136)之间的足够的绝缘。由于第一间隔物(111)、第二间隔物(112)、第一绝缘间隔物(115)和第二绝缘间隔物(116)安装在氧化物层(140)上，因此获得了具有有利的寄生导电率特性的薄膜晶体管(100)。 | ||
| 申请公布号 | CN1732559A | 申请公布日期 | 2006.02.08 |
| 申请号 | CN200380107533.X | 申请日期 | 2003.12.11 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | C·格拉斯;S·D·布罗特尔顿 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L29/786(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;梁永 |
| 主权项 | 1.一种衬底(102)上的薄膜晶体管(100)，包括：半导体层(120)，其具有在第一另外的掺杂区域(125)和第二另外的掺杂区域(126)之间的第一掺杂区域(121)和第二掺杂区域(122)，并且具有在第一掺杂区域(121)和第二掺杂区域(122)之间的未掺杂区域(123)，第一掺杂区域(121)和第二掺杂区域(122)具有比第一另外的掺杂区域(125)和第二另外的掺杂区域(126更低的导电率；和氧化物层(140)，其部分覆盖了半导体层(120)的表面，该氧化物层(140)承载：-未掺杂区域(123)上的导电栅极(104)，其具有基本上垂直于氧化物层(140)的第一侧和第二侧；-第一间隔物(111)和第二间隔物(112)，其分别与导电栅极(104)的第一侧和第二侧相邻；-第一绝缘间隔物(115)，其与导电栅极(104)的第一侧相对同第一间隔物(111)的侧面相邻；和-第二绝缘间隔物(116)，其与导电栅极(104)的第二侧相对同第二间隔物(112)的侧面相邻；该薄膜晶体管(100)进一步包括：具有第一另外的掺杂区域(125)的第一导电接触(135)；和具有第二另外的掺杂区域(126)的第二导电接触(136)。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||