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经营范围
发明名称
METHOD FOR FORMING TRENCH TYPE ISOLATION LAYER IN SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号
KR20060011505(A)
申请公布日期
2006.02.03
申请号
KR20040060381
申请日期
2004.07.30
申请人
HYNIX SEMICONDUCTOR INC.
发明人
LIM, BYUNG HYUCK
分类号
H01L21/76
主分类号
H01L21/76
代理机构
代理人
主权项
地址
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