Schicht-Anordnung, Feldeffekttransistor und Verfahren zum Herstellen einer Schicht-Anordnung

摘要

Die Erfindung betrifft eine Schicht-Anordnung mit einem Substrat, mit einer Halbleiter-Schicht auf dem Substrat, mit einem Graben in der Halbleiter-Schicht, mit elektrisch isolierendem Material an den Seitenwänden und am Boden des Grabens und mit Kohlenstoff aufweisendem Material auf dem elektrisch isolierenden Material in dem Graben.