| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleiterbauelementanordnung, die folgende Merkmale aufweist: DOLLAR A - ein Halbleitersubstrat (10) eines ersten Leitungstyps, DOLLAR A - eine auf dem Substrat (10) angeordnete Isolationsschicht (20), DOLLAR A - eine auf der Isolationsschicht (20) angeordnete Halbleiterschicht (30), in der ein Halbleiterelement mit wenigstens einer ersten Halbleiterzone (40) eines ersten Leitungstyps, eine sich an die erste Halbleiterzone (40) anschließende zweite Halbleiterzone (70) eines zweiten Leitungstyps und eine stärker als die zweite Halbleiterzone dotierte dritte Halbleiterzone (80) beabstandet zu der ersten Halbleiterzone (40) ausgebildet sind, DOLLAR A - wenigstens eine vierte Halbleiterzone (90) des zweiten Leitungstyps, die einen in der zweiten Halbleiterzone (70) ausgebildeten ersten Abschnitt (91) und einen in dem darunter liegenden Substrat (10) ausgebildeten zweiten Abschnitt (92) aufweist, die durch die Isolationsschicht (20) hindurch elektrisch leitend miteinander verbunden sind.
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