| 摘要 |
一种半导体矽基板用热处理工模，属于与半导体矽基板接触并加以保持，被装载于纵型热处理炉的热处理晶舟的热处理工模，其特征为：工模形状是环构造或圆板构造，其厚度是1.5mm以上，6.0以下；与装载于上述热处理晶舟之际的上述半导体矽基板接触的领域的弯曲变位量是100μm以下；与上述半导体矽基板接触并加以保持的工模的外径是该半导体矽基板的直径的65％以上；与上述半导体矽基板接触的一面的表面粗糙度(Ra值)是1.0μm以上，100μm以下。依照该热处理工模，有效地减低滑动的发生，同时避免基板背面的热氧化膜的成长抑制，在制造元件的微影成像工程中可避免成为散焦的原因的表面段差。由此，可维持半导体矽基板的高品质，而且成为可大幅度地提高元件良品率。 |
