用于静电放电保护电路之金氧半导体元件

摘要

一种用于静电放电保护电路之金氧半导体元件，此金氧半导体元件系由基底、闸极结构、源极区、汲极区、掺杂层、延伸掺杂区所构成。其中闸极结构系配置在基底上。另外，源极区与汲极区系分别配置在闸极结构两侧之基底中。此外，掺杂层系配置在源极区以及汲极区下方之基底中，且未与源极区及汲极区邻接。另外，延伸掺杂区系配置在基底中，且与掺杂层及源极区邻接。特别是，汲极区、基底与源极区之间，以及汲极区、基底及掺杂层之间系构成二寄生双载子连接电晶体，以使由汲极区所流入之电流，藉由此二寄生双载子连接电晶体导通至一共同电压端。