氮化矽膜之制造方法、半导体装置之制造方法及半导体装置

摘要

本发明提供一种氮化矽膜之制造方法，其特征系于基体之表面形成氮化矽膜，且依序重复进行：第1工序，其对前述基体之表面供给包含矽及氯之第1气体；第2工序，其对前述基体之表面供给包含氮之第2气体；及第3工序，其对前述基体之表面供给包含氢之第3气体。