半导体装置之制造方法及半导体制造装置

摘要

本发明系抑制形成于晶圆上之单结晶以外之矽膜上之异常产生。本发明之步骤S1中于晶圆上形成矽膜，步骤S10中于形成于晶圆上之矽的表面形成氧化膜，作为抑制表面异常之异常抑制膜发挥机能。要形成异常抑制膜，例如以使多结晶矽之表面氧化之臭氧水、过氧化氢水等药液氧化即可。于矽表面形成异常抑制膜之后，依据需要，去除作为异常抑制膜之例如异常成长抑制膜，进行对矽膜之图案化或绝缘氧化膜形成等之处理。