| 主权项 |
1.一种四极结构之场发射显示器,系包括: 一阳极板,系于一阳极基板上设置萤光粉体层; 一阴极板,系于一阴极基板上设置对应于萤光粉体 层之电子源发射层; 一网罩,设有一闸极层、一绝缘层及一收敛电极层 ,其中该收敛电极层系以一金属导电板所形成,其 上开设有复数透孔,并于其一侧面布设一绝缘层, 再于该绝缘层之外侧面布设一导电层,即形成闸极 层,该收敛电极层系面对阳极板,并载有收敛电位, 而闸极层则面对阴极板,并载有汲取电位,以自电 子发射源层汲取电子; 一支撑玻璃板,系设于阳极板与收敛电极层之间, 使两者保持一定距离及绝缘; 其中该闸极层与收敛电极层开设有复数个透孔,且 支撑玻璃板亦开设有对应之复数穿孔,每一透孔及 穿孔系对应于每一电子发射源层处,以容由电子发 射源层所射出之电子束可穿越该透孔而射向萤光 粉体层,且当电子束行经收敛电极层时,该收敛电 极层可对电子束产生收敛作用,即限缩电子束之发 散幅度,使电子束可精准的撞击对应之萤光粉体层 。 2.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器,其中 该阴极板与闸极层之间,设置有阻隔壁或支撑器。 3.如申请专利范围第2项所述之场发射显示器,其中 该阻隔壁或支撑器系配置于各透孔间。 4.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器,其中 该支撑玻璃板之穿孔亦可为含盖复数个相邻之电 子发射源层之较大孔径者。 5.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器,其中 该金属导电板之外围部份为无效区域,该无效区域 内之适当位置处可设置复数个对位记号。 6.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器,其中 该透孔系成型为倒角锥形,其上方孔径大于下方孔 径。 7.如申请专利范围第6项所述之场发射显示器,其中 该透孔之下方孔径系大于电子发射源层之对角距 离。 8.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器,其中 该透孔系成型为沙漏形,上下方之开口孔径较大, 而中段孔径较小。 9.如申请专利范围第8项所述之场发射显示器,其中 该透孔之下方孔径系大于电子发射源层之对角距 离。 10.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器,其 中该收敛电位系低于汲取电位。 11.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器,其 中该支撑玻璃板与阳极板之间系设有阻隔壁。 12.一种四极结构之场发射显示器之制造方法,系包 括: 提供一阳极基板及一阴极基板; 布设复数个阴极单元于阴极基板上; 布设复数个阳极单元于阳极基板上; 制作具有闸极层及收敛电极层之网罩; 提供一支撑玻璃板; 将网罩及支撑玻璃板定位固着于阴极及阳极基板 之间。 13.如申请专利范围第12项所述之场发射显示器之 制造方法,其中该网罩系选用一种膨胀系数接近于 阴阳极基板之金属导电板,于该金属导电板上开设 复数透孔,该金属导电板即形成收敛电极层,于该 收敛电极层之一侧表面,制作一绝缘层,并使该绝 缘层烧结固着于收敛电极层上,再于该绝缘层之外 侧制作一导电层,即形成闸极层。 14.如申请专利范围第13项所述之场发射显示器之 制造方法,其中该金属导电板系为铁镍碳复合板。 15.如申请专利范围第13项所述之场发射显示器之 制造方法,其中该透孔系以雷射或微影蚀刻程序开 设。 16.如申请专利范围第13项所述之场发射显示器之 制造方法,其中该绝缘层系以印刷或微影制程图腾 化制作。 17.如申请专利范围第16项所述之场发射显示器之 制造方法,其中该绝缘层系为杜邦(DuPond)公司所生 产之玻璃涂胶DG001,以印刷方式印制于收敛电极层 上。 18.如申请专利范围第13项所述之场发射显示器之 制造方法,其中该闸极层系以印刷、溅镀、蒸镀或 微影制程图腾化制作。 19.如申请专利范围第18项所述之场发射显示器之 制造方法,其中该闸极层系为杜邦(DuPond)公司所生 产之银导电涂胶DC206,以印刷方式印制于绝缘层上 。 20.如申请专利范围第13项所述之场发射显示器之 制造方法,其中该网罩系可独立加工制作者。 21.如申请专利范围第13项所述之场发射显示器之 制造方法,其中该透孔系成型为倒角锥形,其上方 孔径大于下方孔径。 22.如申请专利范围第21项所述之场发射显示器之 制造方法,其中该透孔之下方孔径系大于电子发射 源层之对角距离。 23.如申请专利范围第13项所述之场发射显示器之 制造方法,其中该透孔系成型为沙漏形,上下方之 开口孔径较大,而中段孔径较小。 24.如申请专利范围第23项所述之场发射显示器之 制造方法,其中该透孔之下方孔径系大于电子发射 源层之对角距离。 25.如申请专利范围第12项所述之场发射显示器之 制造方法,其中该支撑玻璃板系选用一种膨胀系数 接近于阴阳极基板之玻璃板,于该支撑玻璃板上开 设复数穿孔。 26.如申请专利范围第25项所述之场发射显示器之 制造方法,其中该穿孔系对应于一或一个以上相邻 之阴极或阳极单元。 27.如申请专利范围第12项所述之场发射显示器之 制造方法,其中该支撑玻璃板与阳极板之间系设有 阻隔壁。 28.一种四极结构之场发射显示器之网罩,系于阳极 与阴极基板之间,设有闸极层及收敛电极层,系包 括: 一金属导电板,系做为基板,其上开设有复数透孔, 并以其做为收敛电极层; 一绝缘层,布设于金属导电板之一侧面; 一导电层,布设于该绝缘层之外侧面,即以该导电 层形成闸极层。 29.如申请专利范围第28项所述之网罩,其中该金属 导电板之外围部份为无效区域,该无效区域内之适 当位置处可设置复数个对位记号。 30.如申请专利范围第28项所述之网罩,其中该透孔 系成型为倒角锥形,其上方孔径大于下方孔径。 31.如申请专利范围第30项所述之网罩,其中该透孔 之下方孔径系大于电子发射源层之对角距离。 32.如申请专利范围第28项所述之网罩,其中该透孔 系成型为沙漏形,上下方之开口扎径较大,而中段 孔径较小。 33.如申请专利范围第32项所述之网罩,其中该透孔 之下方孔径系大于电子发射源层之对角距离。 图式简单说明: 第一图:习知三极结构之场发射显示器之剖视图。 第二图:习知三极结构之场发射显示器之电子束射 出路径示意图。 第三图:本发明之场发射显示器之剖视图。 第四图:本发明之网罩结构示意图。 第五图:本发明之支撑玻璃板穿孔之一较佳实施例 示意图。 第六图:本发明之支撑玻璃板穿孔之另一较佳实施 例示意图。 第七图:本发明之电子束射出路径示意图。 第八图:本发明之收敛电极层透孔之一较佳实施例 剖视图。 第九图:本发明之收敛电极层透孔之另一较佳实施 例剖视图。 |
