| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体,包含: 一冷却层,形成于一基板上; 一绝缘层,形成于该冷却层上,该冷却层之导热性 系高于该绝缘层之导热性;以及 一半导体层,形成于该绝缘层上,并包含一汲极区 、一通道区、与一源极区,其中,该冷却层系局部 地接近该汲极区、该通道区、与该源极区之至少 一者,而且系由矽化钨所组成。 2.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体,其中,该汲 极区、该通道区、与该源极区之至少一者,系被成 形为接近该冷却层。 3.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体,其中,该冷 却层系被成形为接近该汲极区、该通道区、与该 源极区之该至少一者。 4.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体,其中,一闸 极电极系形成于该通道区上,而该汲极区系密接趋 近于该冷却层。 5.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体,其中,该冷 却层具有一种遮光特性。 6.一种薄膜电晶体之制造方法,包含以下步骤: 在一基板上,形成一个具有高导热性之冷却层; 在该冷却层上,形成一个具有比该冷却层的导热性 来得低之绝缘层; 局部地将该绝缘层予以薄型化; 在该局部薄型化的绝缘层上,形成一层半导体层; 以及 以一能量离子束照射该局部薄型化的绝缘层, 其中,该冷却层系由矽化钨所组成。 7.一种薄膜电晶体之制造方法,包含以下步骤: 在一基板上,形成一半导体层; 在该半导体层上,形成一个具有比该半导体层的导 热性来得高之冷却层; 对该冷却层形成图案; 以一能量离子束照射该半导体层与该冷却层;以及 移除该冷却层之至少一部份, 其中,该冷却层系由矽化钨所组成。 8.一种薄膜电晶体,形成于一绝缘层上,该绝缘层系 形成于一基板上,该薄膜电晶体包含: 一绝缘的闸极电极;以及 一活性层,包含一源极区、一汲极区、与一通道区 ,该源极区、汲极区、与通道区系由一个形成于该 绝缘层上之半导体层所构成,其中,该活性层之一 部份系属于一种单一晶体层。 9.如申请专利范围第8项之薄膜电晶体,其中,该活 性层之其余部分系属于一种多晶矽层。 10.如申请专利范围第8项之薄膜电晶体薄膜电晶体 ,其中,该活性层之该一部份系为该通道区。 11.如申请专利范围第8项之薄膜电晶体薄膜电晶体 ,其中,该活性层之该其余部分包含该源极区与该 汲极区。 图式简单说明: 图1显示一种雷射脉冲辐射设备之示意图; 图2系为显示习知之TFT之构造的剖面图; 图3A至3C显示依据本发明第一较佳实施例之TFT之示 意图,其中,图3A系为显示于制程之初期阶段的TFT之 构造的俯视图;图3B系为沿着图3A所示之线A-A的构 造之剖面图;而图3C系为显示于制程之最后阶段中 的TFT之构造的剖面图; 图4A与4B显示依据本案之第一应用例的TFT之示意图 ,其中,图4A系为显示于制程之初期阶段中的TFT之构 造的剖面图,而图4B系为显示于制程之最后阶段中 的TFT之构造的剖面图; 图5A与5B显示依据本案之第二应用例的TFT之示意图 ,其中,图5A系为显示于制程之初期阶段中的TFT之剖 面图,而图5B系为显示于制程之最后阶段中的TFT之 构造的示意图之剖面图; 图6A与6B显示依据本案之第三应用例的TFT之构造的 示意图,其中,图6A系为显示于制程之初期阶段中的 TFT之剖面图,而图6B系为显示于制程之最后阶段中 的TFT构造的剖面图; 图7A与7B显示依据本案之第四应用例的使用TFT之互 补式MOS(CMOS)之构造的示意图,其中,图7A系为显示于 制程之初期阶段中的TFT之构造的示意图之剖面图, 而图7B系显示于制程之最后制程中的TFT之构造; 图8系为显示于中间制程中之CMOS的剖面图; 图9显示依据本发明之使用TFT的半导体记忆装置之 示意图; 图10显示依据本发明之使用TFT的LCD之示意图; 图11显示依据本发明之使用TFT的投影机之示意图; 与 图12A与12B显示依据本发明之使用TFT的携带式扫描 器之示意图,其中,图12A显示携带式扫描器之内部 构造的立体图,而图12B系为显示携带式扫描器之放 大剖面图。 |
