发明名称 半导体存储装置
摘要 本发明的半导体存储装置包括:存储单元阵列、列选通阵列、行译码器、列译码器、读出放大器阵列、读出数据总线、输出缓冲器、冗余判别信号总线。输出缓冲器,在冗余置换时只输出除去冗余置换对象存储单元块读出数据以外的读出数据,在不进行冗余置换时只输出除去冗余存储单元块读出数据以外的读出数据,已从输出缓冲器除外的读出数据作为输出启动信号供给输出缓冲器。被输出缓冲器除外的读出数据的转移定时被设定成比其它的读出数据延迟。
申请公布号 CN1725371A 申请公布日期 2006.01.25
申请号 CN200510083710.6 申请日期 2005.06.23
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 荒川健
分类号 G11C11/409(2006.01);G11C11/419(2006.01);G11C7/00(2006.01) 主分类号 G11C11/409(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 浦柏明;叶恺东
主权项 1.一种半导体存储装置,具有:包括冗余存储单元块的多个存储单元块;按照所输入的地址从所述多个存储单元块的每一个选择一个存储单元的选择装置;为了读出由所述选择装置选择的存储单元数据,而与所述多个存储单元块的每一个相对应设置的多个放大装置;连接在所述多个放大装置中的每一个的多个数据总线;从所述多个数据总线向外部输出多个读出数据的读出数据输出装置;以及冗余判别信号输入装置,输入用于判别所述多个存储单元块中的成为冗余置换对象的存储单元块的冗余判别信号,所述读出数据输出装置根据所述冗余判别信号,在冗余置换时只输出除去成为所述冗余置换对象的存储单元块读出数据以外的读出数据,在未进行冗余置换时只输出除去所述多个存储单元块中的冗余存储单元块读出数据以外的读出数据,使用被所述读出数据输出装置除外的读出数据作为存储控制信号。
地址 日本大阪府