发明名称 干式蚀刻方法、磁记录介质的制造方法和磁记录介质
摘要 本发明提供一种可将被蚀刻层高精度地加工成所需的凹凸图形的形状的干式蚀刻方法,采用该方法的磁记录介质的制造方法,以及记录层由凹凸图形形成的、可确实获得良好的磁特性的磁记录介质。在基板上按顺序形成记录层(被蚀刻层)、主掩模层、副掩模层,将副掩模层加工成规定的凹凸图形(S106),接着通过以氧或臭氧为反应气体的反应性离子蚀刻,去除凹部的主掩模层(S108),此外,通过干式蚀刻,去除凹部的记录层,加工成上述凹凸图形的形状(S110)。主掩模层的材料的主要成分为碳,并且副掩模层的材料采用相对于主掩模层加工工序(S108)的反应性离子蚀刻的蚀刻率比碳低的材料。
申请公布号 CN1725306A 申请公布日期 2006.01.25
申请号 CN200510078649.6 申请日期 2005.06.21
申请人 TDK股份有限公司 发明人 大川秀一;服部一博;日比干晴;高井充
分类号 G11B5/84(2006.01);G11B5/66(2006.01);H01L21/3065(2006.01) 主分类号 G11B5/84(2006.01)
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人 高龙鑫;王玉双
主权项 1.一种干式蚀刻方法,其特征在于,包括:在被蚀刻层上按顺序形成主掩模层、副掩模层的掩模层形成工序;将上述副掩模层加工成规定的凹凸图形的副掩模层加工工序;通过将氧和臭氧中的至少一方作为反应气体的反应性离子蚀刻,去除上述凹凸图形的凹部的上述主掩模层的主掩模层加工工序;通过干式蚀刻去除上述凹凸图形的凹部的上述被蚀刻层,将该被蚀刻层加工成上述凹凸图形的形状的被蚀刻层加工工序,上述主掩模层的材料的主要成分为碳,上述副掩模层的材料为相对于上述主掩模层加工工序的反应性离子蚀刻的蚀刻率比上述主掩模层的材料低的材料。
地址 日本东京都