| 发明名称 | 晶化非晶Si膜的方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种晶化非晶Si膜的方法。这种晶化非晶Si膜的方法包括：向形成在衬底上的非晶Si膜中掺入预定的金属离子，以及，对掺有金属离子的非晶Si膜退火以晶化该非晶Si膜。根据该晶化非晶Si膜的方法，可以用更低的能量晶化非晶Si膜，且晶化的Si膜的表面粗糙度可以得到改善。 | ||
| 申请公布号 | CN1725447A | 申请公布日期 | 2006.01.25 |
| 申请号 | CN200510072664.X | 申请日期 | 2005.05.16 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 崔哲柊 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);H01L21/265(2006.01);H01L21/324(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种晶化非晶Si膜的方法，所述方法包括：向在衬底上形成的非晶Si膜中掺入预定的金属离子；以及退火掺有所述金属离子的所述非晶Si膜以晶化所述非晶Si膜。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||