| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置的制造方法，是包含：在一基底上形成一含氟介电膜，该含氟介电膜是包含约25％或较少的游离氟，具有约5％或较少的孔洞及约3.8或较小的一介电常数；沉积一第一扩散阻障层于一基底及该含氟介电膜之间；沉积一第二扩散阻障层于该含氟介电膜及导线之间。此膜的形成方式如下：在一沉积反应室中的压力约等于或小于3托尔，及射频功率约为500至5000瓦的条件下，导入一四氟化硅及硅甲烷的气体，其中四氟化硅比硅甲烷的反应比率约等于或小于2.5，以形成此含氟介电膜。本发明改善FSG介电膜的品质，使用此含氟介电膜的半导体装置可以改善电性功能。 | ||
| 申请公布号 | CN1725452A | 申请公布日期 | 2006.01.25 |
| 申请号 | CN200510085867.2 | 申请日期 | 2005.07.20 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 吕伯雄;庄学理;蔡瑛修;杨淑婷;杨正辉;冯忠铭;吴斯安;刘沧宇;陈明德 |
| 分类号 | H01L21/314(2006.01);H01L21/311(2006.01);C23C16/44(2006.01) | 主分类号 | H01L21/314(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置，所述半导体装置包含：一基底；以及一含氟介电膜，覆盖该基底，其特征在于：该含氟介电膜是包含一使用氢氟酸的湿式蚀刻率，其蚀刻率小于一热氧化硅的15倍。 | ||
| 地址 | 台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 | ||