| 主权项 |
1.一种制造快闪记忆格之方法,包含下列步骤: 形成一第一多晶矽层,其具有一底部表面及一顶部 表面,覆盖一基板而具有一穿隧氧化物层插置于该 基板与该第一多晶矽层之间; 形成一沟渠穿过该第一多晶矽层及进入该基板之 内; 形成一场氧化物层,具有一上方表面,覆盖该基板 至一厚度,使得在该沟渠内之该场氧化物层之该上 方表面高于该第一多晶矽层之该底部表面; 沈积一第二多晶矽层,具有一上方表面,覆盖该场 氧化物至一厚度,使得在该沟渠内之该第二多晶矽 层之该上方表面低于该第一多晶矽层之该顶部表 面; 沈积一牺牲氧化物层于该第二多晶矽层之上; 使该第二多晶矽层,该场氧化物层,及该第一多晶 矽层平坦化;以及 停止该平坦化之步骤于该第一多晶矽层之该顶部 表面及该第二多晶矽层之该上方表面处; 沈积一高k介电材料覆盖该第一多晶矽层;以及 沈积一第三多晶矽层覆盖该高k介电材料。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该场氧化物层 系藉成长一薄的热氧化物及接着利用CVD法或溅镀 法沈积该氧化物之其余者而形成。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中该穿隧氧化物 层系二氧化矽。 4.如申请专利范围第1项之方法,中该高k介电材料 为铪氧化物或锆氧化物。 5.如申请专利范围第3项之方法,进一步包含下列步 骤: 沈积光阻及制作该光阻图案以界定一闸极结构; 选择性地蚀刻该第三多晶矽层,该高k介电层材料 该第二多晶矽层,及该第一多晶矽层;以及 在去除该第二多晶矽层之暴露地区之后停止该选 择性蚀刻步骤,藉此保留一薄层之暴露的第一多晶 矽层。 6.如申请专利范围第5项之方法,进一步包含利用高 度选择性蚀刻来选择性地蚀刻该保留之暴露的第 一多晶矽层,藉此去除该保留之暴露的第一多晶矽 层而无需过度去除下方之穿隧氧化物层的步骤。 7.如申请专利范围第1项之方法,进一步包含下列步 骤: 在沈积该第三多晶矽层之前,施加光阻覆盖该高k 介电材料及制作该光阻图案;以及 自其中将形成非记忆电晶体之区域去除该高k介电 材料。 8.如申请专利范围第7项之方法,进一步包含下列步 骤: 在施加光阻及制作该光阻图案之前沈积一牺牲多 晶矽层于该高k介电材料之上;以及 自其中将形成非记忆电晶体之区域去除该牺牲多 晶矽层。 9一种快闪记忆格,包含:一穿隧氧化物层,覆盖一基 板;一浮动多晶矽闸极,覆盖该穿隧氧化物层;一高k 介电层,覆盖该浮动多晶矽闸极;以及一控制闸极, 覆盖该高k介电层。 10.如申请专利范围第9项之快闪记忆格,其中该高k 介电层系铪氧化物或锆氧化物。 11.如申请专利范围第9项之快闪记忆格,进一步包 含藉一闸极堆叠而彼此分离之源极区及汲极区,该 闸极堆叠包含穿隧氧化物层,浮动多晶矽闸极,高k 介电层及控制闸极。 图式简单说明: 第1图系处理期间之装置结构的横剖视图; 第2图系处理期间之装置结构的横剖视图; 第3图系处理期间之装置结构的横剖视图; 第4图系处理期间之装置结构的横剖视图; 第5图系处理期间之装置结构的横剖视图; 第6图系处理期间之装置结构的横剖视图; 第7图系处理期间之装置结构的横剖视图; 第8图系处理期间之装置结构的横剖视图; 第9图系如第8图之装置结构的横剖视图,但旋转90 度; 第10图系如第9图之装置结构在附加处理后之横剖 视图,以相同于第9图之方向观视;以及 第11图系如第10图之装置结构在形成源极及汲极区 之后的横剖视图,以相同于第10图之方向观视。 |
