| 主权项 |
1.一种半导体晶片安装体之制造方法,系具备: 充满填胶树脂于电路板和半导体晶片之间且形成 覆晶接合前述半导体晶片于电路板上的状态而组 装前述半导体晶片的安装体的制程; 在前述被覆晶接合的半导体晶片的露出面上配置 具有较该露出面大的面积的热硬化性树脂片的制 程;以及 加热配置于前述半导体晶片的露出面上的前述热 硬化性树脂片披覆前述露出面而以前述热硬化性 树脂片封装前述半导体的制程。 2.如申请专利范围第1项所述之半导体晶片安装体 之制造方法,更具备在封装前述半导体晶片的前述 制程之后,应使前述填胶树脂以及前述热硬化性树 脂片最终硬化的加热的制程。 3.如申请专利范围第1项所述之半导体晶片安装体 之制造方法,其中在前述被覆晶接合的半导体晶片 的露出面上配置具有较该露出面大的面积的热硬 化性树脂片的制程,使用可真空吸着前述热硬化性 树脂片的筒夹; 加热配置于前述半导体晶片的露出面上的前述热 硬化性树脂片披覆前述露出面而以前述热硬化性 树脂片封装前述半导体的制程,藉由一体设置于前 述筒夹的加热机构且更藉由一体设置于前筒夹的 加压机构加压。 4.如申请专利范围第3项所述之半导体晶片安装体 之制造方法,其中吸着前述热硬化性树脂片的前述 筒夹的表面系被非接着性加工的表面。 5.如申请专利范围第1项所述之半导体晶片安装体 之制造方法,其中加热配置于前述半导体晶片的露 出面上的前述热硬化性树脂片披覆前述露出面而 以前述热硬化性树脂片封装前述半导体的制程在 炉中加热前述安装体。 6.如申请专利范围第1项所述之半导体晶片安装体 之制造方法,其中配置于前述被覆晶接合的半导体 晶片的露出面上的前述热硬化性树脂片包含从无 机材料形成的填料。 7.如申请专利范围第1项所述之半导体晶片安装体 之制造方法,其中配置于前述被覆晶接合的半导体 晶片的露出面上的前述热硬化性树脂片,具有盘状 的形状且藉由配置于前述露出面上亦到达前述半 导体晶片的端面而相向。 8.如申请专利范围第1项所述之半导体晶片安装体 之制造方法,其中充满填胶树脂于电路板和半导体 晶片之间且形成覆晶接合前述半导体晶片于电路 板上的状态而组装前述半导体晶片的安装体的制 程,具有涂敷填胶树脂于前述电路板上的步骤和覆 晶接合前述半导体晶片于涂敷前述电路板上的前 述填胶树脂的部位的步骤。 9.如申请专利范围第1项所述之半导体晶片安装体 之制造方法,其中充满填胶树脂于电路板和半导体 晶片之间且形成覆晶接合前述半导体晶片于电路 板上的状态而组装前述半导体晶片的安装体的制 程,具有覆晶接合前述半导体晶片于前述电路板上 的步骤和使前述填胶树脂侵入充填于前述被覆晶 接合的半导体晶片与前述电路板的间隙的步骤。 10.如申请专利范围第1项所述之半导体晶片安装体 之制造方法,其中使用可热塑性树脂片带替前述热 硬化性树脂片。 11.一种半导体晶片安装体,系具备: 电路板; 被覆晶接合于前述电路板的半导体晶片; 充填前述电路板与前述半导体晶片之间隙的第1树 脂;及 设置于前述半导体晶片的前述电路板侧的相反侧, 不到达前述电路板上覆盖前述半导体晶片而被形 成的第2树脂。 12.如申请专利范围第11项所述之半导体晶片安装 体,其中前述第2树脂包含从无机材料形成的填料 。 图式简单说明: 第1图以模式的剖面显示依据本发明的一实施形态 的半导体晶片安装体之制造方法的制程图; 第2图以模式的剖面显示依据本发明的另一实施形 态的半导体晶片安装体之制造方法的制程图; 第3图以模式的剖面显示依据本发明的再另一实施 形态的半导体晶片安装体之制造方法的制程图;以 及 第4图以模式的剖面显示依据本发明的再另一实施 形态的半导体晶片安装体之制造方法的制程图。 |
