发明名称 |
薄膜半导体器件及电光装置、其制造方法及中间掩模 |
摘要 |
本发明提供在薄膜的图形化中,即便是具有该图形上相交部分,在该薄膜的下部也不会产生底蚀的薄膜半导体器件及其制造方法。解决方式是半导体膜(1)具有含有曲折形状或突出形状的图形。此外,对于规定上述曲折形状或上述突出形状的相交部分的同时彼此邻接的一个线段(1AR)和另一个线段(1BU)来说,在该一个线段和另一个线段的端部间存在着别的线段(1X),该别的线段与上述一个线段所构成的夹角以及该别的线段与上述另一个线段所构成的夹角,形成大于90度小于180的平滑相交部分(1K)。 |
申请公布号 |
CN1722450A |
申请公布日期 |
2006.01.18 |
申请号 |
CN200510083189.6 |
申请日期 |
2003.02.11 |
申请人 |
精工爱普生株式会社 |
发明人 |
天野隆祐;北和田清文 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/768(2006.01);G02F1/136(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01) |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 |
代理人 |
陈海红;段承恩 |
主权项 |
1.一种薄膜半导体器件,是具备具有包括曲折形状或突出形状图形,由导电性材料构成的薄膜的薄膜半导体器件,其特征在于:对于规定上述曲折形状或上述突出形状的相交部分,同时,彼此相邻的一条线段和另外的线段中的至少一组来说,在该一条线段的端部和该另外的线段的端部间存在着别的线段,该别的线段与上述一条线段所构成的夹角以及该别的线段与该另外的线段所构成的夹角,形成大于90度小于180度的平滑相交部分。 |
地址 |
日本东京都 |