发明名称 带有低本征单轴各向异性自由层的巨磁致电阻传感器
摘要 自旋阀磁致电阻传感器,具有反向平行被钉扎层、反向平行耦合的自由层和二者之间的非磁性导电分隔层。反向平行被钉扎层包含被反向平行耦合层分隔的第一和第二铁磁层。自由层包含第三铁磁层、第四铁磁层和二者之间的反向平行耦合层。Co-Fe第三铁磁层的易磁化轴具有横向取向,Co-Fe-Hf-O第四铁磁层的易磁化轴具有纵向取向,导致自由层低的净本征单轴各向异性H<SUB>k</SUB>。第四铁磁层的高电阻率使读出电流旁路降低,引起电子反转对称散射,改善了传感器的巨磁致电阻系数。
申请公布号 CN1237511C 申请公布日期 2006.01.18
申请号 CN01124480.1 申请日期 2001.07.30
申请人 国际商业机器公司 发明人 哈德耶尔·S·吉尔
分类号 G11B5/39(2006.01);H01F10/08(2006.01);G01R33/09(2006.01);H01L43/08(2006.01) 主分类号 G11B5/39(2006.01)
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王永刚
主权项 1.一种自旋阀磁致电阻传感器,它包含:反铁磁层;邻近所述反铁磁层的被钉扎层,所述反铁磁层对所述被钉扎层的磁化方向进行固定;反向平行耦合的自由层,它包含:第三铁磁层;由电阻率大于400微欧姆厘米的材料所组成的第四铁磁层;以及排列在所述第三和第四铁磁层之间的反向平行耦合层;以及排列在所述被钉扎层和所述第三铁磁层之间的由非磁性导电材料组成的分隔层。
地址 美国纽约