| 发明名称 | C注入以改进SiGe双极晶体管成品率 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种改进SiGe双极成品率和制造SiGe异质结双极晶体管的方法，本发明方法包括离子注入碳C于器件下述区域中至少一个区域：收集极区(16)，亚收集极区(14)，非本征基区(29)，以及收集极－基极结区(27)。在一个优选实施方案中，前述区域中的每一个区域都包括C注入。 | ||
| 申请公布号 | CN1723550A | 申请公布日期 | 2006.01.18 |
| 申请号 | CN02811646.1 | 申请日期 | 2002.06.04 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 道格拉斯·D.·库尔鲍;凯瑟琳·T.·硕宁波格 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01);H01L21/265(2006.01) | 主分类号 | H01L21/331(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种改进半导体异质结双极晶体管的SiGe双极成品率的方法，包括以下步骤：(a)提供一种结构，它至少包括一个双极器件区，所述双极器件区包含至少一个在亚-收集极区上方形成的收集极区，以及在所述收集极和亚收集极区上方形成的SiGe层，所述SiGe层包含至少一个本征基区和一个收集极-基极结区，其中所述本征基区被非本征基区所紧邻；以及(b)把C注入所述结构的至少一个区域，该区域选自所述收集极，所述亚-收集极，所述非本征基区和所述收集极-基极结区。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||