使用沟槽结构的横向半导体器件及其制造方法

摘要

提供了一种横向沟槽MOS晶体管，其中平行于栅极长度方向设置延伸到源区和漏区的沟槽，栅氧化物设置在沟槽上，通过利用倾斜的离子注入将阱区设置在沟槽区和源区以及漏区的下面，栅电极设置在栅氧化物上，且通过利用倾斜的离子注入，将源区和漏区设置在与栅电极自对准的沟槽的凹面部分的底表面相同的平面上。

主权项

1.一种半导体器件，包括：第一沟槽区，其中其纵向方向与栅极长度方向平行的沟槽形成在半导体衬底的表面上；第二沟槽区和第三沟槽区，设置在与第一沟槽区的凹面部分的底表面相同的平面上，以在第一沟槽区的纵向方向上与第一沟槽区的两端接触；第二导电类型的阱区，形成于第一沟槽区、第二沟槽区和第三沟槽区中；栅绝缘膜，设置在第一沟槽区中；栅电极，设置在栅绝缘膜上；第一导电类型的源区，其设置得比第一沟槽区和第二沟槽区的第一部分中的阱区浅；以及第一导电类型的漏区，其设置得比第一沟槽区和第三沟槽区的第二部分中的阱区浅。