| 摘要 |
本发明涉及一种光电技术用之半导体晶片，其包括：一薄膜层，其中形成一种电磁辐射发射区且该薄膜层具有一发射侧，一背面和多个侧面，各侧面使背面与发射侧相连接；以及一薄膜层用的载体，其配置在背面上且与该背面相连接；在发射侧上形成至少一导电性的前侧接触结构且在背面上形成至少一沟。依据本发明的一种外观，该沟在背面上界定唯一之部份区域，其基本上未与该前侧接触结构相重叠。依据本发明的另一外观，该沟在背面上界定多个部份区域，其基本上未与该前侧接触结构相重叠且其分别邻接于至少一与该前侧接触结构相重叠的区域。本发明另外亦涉及上述半导体晶片之制造方法。 |
