发明名称 含双闸极堆叠结构的积体电路元件及其制造方法
摘要 一种积体电路元件,包括一个半导体基底具有第一掺杂区与掺质类型与第一掺杂区不同的第二掺杂区,在半导体基底上有一个闸极电极结构,在第一与第二掺杂区之间延伸,且其具有一层闸极绝缘层,在第一掺杂区中是由一层第一高介电常数材料构成,在第二掺杂区中是由与第一万介电常数材料不同的第二高介电常数材料构成,在闸极绝缘层上有一层闸极电极。
申请公布号 TW200603384 申请公布日期 2006.01.16
申请号 TW094102292 申请日期 2005.01.26
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 丁炯硕;李锺镐;李化成;崔在光
分类号 H01L27/082 主分类号 H01L27/082
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 韩国